InP单晶片品质参数(VGF法生长) | ||||||
品种 | 直径(inch) | 类型 | 载流子浓度(cm-3) | 电子迁移率(cm2/V.s) | 电阻率(Ω.m) | 错位密度(cm-2) |
InP | 2 | N | ≤1×1016 | (3.5-4)×103 | <1×103 | |
S-InP | 2 | N | (0.5-1)×1017 | (2-4)×103 | <500 | |
3 | (0.5-1)×1017 | (2-4)×103 | <1×103 | |||
4 | (0.5-1)×1017 | (2-4)×103 | <2×103 | |||
Zn-InP | 2/3/4 | P | (0.5-1)×1017 | 50-70 | <1×103 | |
Fe-InP | 2 | SI | >2000 | >0.5×107 | <2.5×103 | |
3 | ||||||
4 | ||||||
晶片单位面抛光或双面抛光,开盒即用。晶向(100),2英寸片标准厚度350±25μm,3英寸片标准厚度500±25μm,4英寸片标准厚度625±25μm,其他特殊规格根据要求加工。 |